DRAM DDR5 Micron para servidor
Rendimiento, eficiencia y escalabilidad a toda máquina.
Soluciones específicas. Resultados probados.
- Cargas de trabajo aceleradas
- Características
- Especificación
Cargas de trabajo aceleradas
Cree un ecosistema eficiente en el que los datos, además de la información, fluyan más rápidamente.
Capacidades de vanguardia
La memoria DRAM DDR5 Micron® para servidor ofrece potentes funcionalidades junto con rendimiento de primera clase:
Dobla el rendimiento frente a la DDR4
Optimizada para las plataformas de estaciones de trabajo y servidores Intel® y AMD® más recientes
La tensión de funcionamiento se ha reducido de los 1,2 V de la DDR4 a 1,1 V
Disponible en RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM, ECC CUDIMM, ECC UDIMM, ECC CSODIMM y ECC SODIMM
MRDIMM de hasta 256 GB para un mayor ancho de banda y menores latencias para aplicaciones con uso intensivo de memoria
Garantía limitada de tres años
ECC en la propia matriz
Velocidades de hasta 8800 MT/s
Componente y módulo probados al 100 %
Fabricada por Micron
¿Por qué elegir DRAM DDR5?
Alto rendimiento y velocidad
Tiempos de procesamiento más rápidos para aplicaciones que requieren muchos recursos.
Mejor fiabilidad
Fiabilidad, disponibilidad y escalado mejorados en comparación con DDR4.
Más información
Acelere los procesos para obtener más información de los datos críticos.
Especificaciones
| RDIMM | MRDIMM TFF MRDIMM | ECC CUDIMM ECC UDIMM | ECC CSODIMM ECC SODIMM | |
|---|---|---|---|---|
| Densidad | 16, 24, 32, 48, 64, 96, 128 | 32, 64, 96, 128, 256 | 16, 32 | 16, 32 |
| Velocidad | 4800, 5600, 6400 | 8800 | 4800, 5600, 6400 | 4800, 5600, 6400 |
| Tensión del componente | 1.1 | 1.1 | 1.1 | 1.1 |
| Tensión del módulo | 12,0 | 12,0 | 5.0 | 5.0 |
| Rangos | 1R, 2R | 1R, 2R, 4R | 1R, 2R | 1R, 2R |
| Configuración de componentes | x4, x8 | x4, x8 | x8 | x8 |
| N.º de pines | 288 pines | 287 pines | 288 pines | 262 pines |
| Disponibilidad | Ahora | Ahora | Ahora | Ahora |
| Garantía | Garantía limitada de 3 años | |||
| Características avanzadas | Dos canales independientes de 40 bits, el doble de longitud de ráfaga, bancos y grupos de bancos con respecto a DDR4, la misma actualización de bancos, ECC en la propia matriz y mejoras en reparaciones posteriores al paquete. | |||
Impacto en el sector
Asistencia
Recursos
Nota: Todos los valores proporcionados se utilizan solo como referencia y no representan valores garantizados. Para obtener información sobre la garantía, visite https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties o póngase en contacto con su representante de ventas de Micron. Los valores representan la resistencia máxima teórica para el tamaño y tipo de transferencia dados. La resistencia variará según la carga de trabajo. Valores de rendimiento medidos a 25 vatios.
- Las velocidades de datos de 4800 MT/s de la DDR5 ofrecen en su lanzamiento 1,5 veces (50 %) más datos que la velocidad estándar máxima de 3200 MT/s de la DDR4. Las velocidades proyectadas de JEDEC de 8800 MT/s son 2,75 veces más rápidas que la velocidad de datos estándar máxima de 3200 MT/s de las DDR4.
- En cargas de trabajo intensivas de memoria, la DDR5 está diseñada para ofrecer un ancho de banda 2 veces mayor, como resultado de la doble longitud de ráfagas, el doble de bancos y grupos de bancos, y una velocidad significativamente mayor que la DDR4, según lo establecido por JEDEC, una organización independiente que desarrolla estándares abiertos para la industria microelectrónica.
