Excelente baja latencia
La SSD Micron 7500 NVMe es la SSD para centros de datos PCIe Gen4 más avanzada del mundo y la primera con NAND de más de 200 capas.
SSD Micron® 7500 NVMe™
Ventajas principales
- Tecnología PCIe® 4.0 NVMe™ con rendimiento secuencial hasta 7000 MB/s y rendimiento aleatorio de hasta 1,1 M IOPS2
- Diseñada a partir de la NAND de 232 capas más avanzada del mundo1
- Admite aplicaciones de alta densidad con capacidades de hasta 15,36 TB3
- Excelente latencia por debajo de 1 ms5 para una calidad de servicio del 99,9999 %
- El entorno de ejecución seguro de Micron permite un cifrado de hardware específico
Indicada para:
- Almacenamiento y arquitectos de soluciones
- Directores de TI
- Socios comerciales de canal
Características:
- Protección contra pérdidas de alimentación
- Protección de trayectoria de datos empresariales
- Firmware activado sin reinicio
- Arranque y borrado seguros
- Firmware activado sin reinicio
- Raíz de confianza para hardware y firmware de firma segura
- Compatibilidad con TRIM con recolección de basura
- Garantía limitada de 5 años4
Especificaciones:
- La SSD para centros de datos convencionales más avanzada del mundo
- Mayor rendimiento y alta eficiencia energética, además de admitir lo último en seguridad
- Basada en la NAND de 232 capas de Micron, líder del sector
Descripción general del producto
La SSD Micron® 7500 NVMeTM es la SSD para centros de datos PCIe Gen4 más avanzada del mundo y la primera con NAND de más de 200 capas. Está diseñada con una tecnología de vanguardia capaz de ofrecer una latencia de calidad de servicio baja y uniforme, un rendimiento superior en una amplia variedad de cargas de trabajo y un amplio soporte para funciones Open Compute Project (OCP) en firmware estándar. La SSD 7500 es una solución versátil que ofrece el rendimiento que exigen las cargas de trabajo empresariales más complejas y críticas.
La SSD para centros de datos convencionales más avanzada del mundo
La NAND de 232 capas líder del sector1 de Micron permite aumentar el rendimiento y la eficiencia energética, además de admitir lo último en seguridad, TCG-Opal 2.01 y otros estándares del sector: Open Compute Project (OCP) 2.0 y NVMe 2.0b.
Creación de una nueva clase de unidades con niveles de latencia de menos de 1 ms
Una latencia baja y uniforme permite una capacidad de respuesta rápida y fiable para las cargas de trabajo que presentan los centros de datos, como los análisis en tiempo real, la distribución de contenidos y las transacciones financieras. La SSD Micron 7500 está a la vanguardia en ese ámbito gracias una latencia de menos de 1 ms5 para una calidad de servicio (QoS, por sus siglas en inglés) de 6x9 que es hasta un 83 % inferior a la de la competencia6.
Acelere sus cargas de trabajo con la velocidad Gen4, líder de su clase
Con un bus como el PCIe Gen4 dominando el mundo de los centros de datos, el superior rendimiento que ofrece la SSD Micron 7500 permite acelerar las cargas de trabajo de los centros de datos, como la IA, las bases de datos y el Cloud Computing. Las exigentes aplicaciones centradas en la escritura disfrutarán de hasta un 242 % más de rendimiento de escritura aleatoria en comparación con la competencia4.
Especificaciones principales
| U.2/U.3 | Micron 7500 PRO Lectura intensiva (1 DWPD) |
Micron 7500 MAX Uso mixto (3 DWDP) |
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| Capacidad | 960 GB | 1,92 TB | 3,84 TB | 7,68 TB | 15,36 TB | 800 GB | 1,6 TB | 3,2 TB | 6,4 TB | 12,8 TB | |
| Rendimiento7 (aleatorio 4K secuencial 128K) | |||||||||||
| Lecturas secuenciales (MB/s) | 6800 | 6800 |
6800 |
7000 | 7000 | 6800 |
6800 |
6800 |
7000 | 7000 | |
| Escrituras secuenciales (MB/s) | 1400 | 2700 | 5300 | 5900 | 5900 |
1400 | 2700 | 5300 | 5900 |
5900 |
|
| Lecturas aleatorias (KIOPS) | 800 | 1000 | 1100 | 1100 |
1100 |
800 | 1000 |
1100 |
1100 |
1100 |
|
| Escrituras aleatorias (KIOPS) | 85 | 145 | 180 | 215 | 250 | 145 | 270 | 390 | 400 | 410 | |
| Lectura/escritura aleatoria 70/30 (IOPS) | 130 | 260 | 350 | 450 | 530 | 200 | 370 | 510 | 650 | 700 | |
| Latencia (típica, µs)8 | 70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
|
| Resistencia (bytes totales escritos en TB) | 4K aleatoria | 1752 | 3504 | 7008 | 14 016 | 28 032 | 4380 | 8760 | 17 520 | 35 040 | 70 080 |
| Atributos básicos | |||||||||||
| Interfaz | PCIe Gen4 1x4 NVMe (v2.4b) | ||||||||||
| NAND | NAND Micron 3D TLC más de 200 capas | ||||||||||
| Fiabilidad | |||||||||||
| MTTF | MTTF: 2,0 M de horas a 0-55 °C y 2,5 M de horas a 0-50 °C |
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| UBER | <1 sector por 1018 bits leídos |
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| Garantía | 5 años | ||||||||||
| Características ambientales | |||||||||||
| Consumo | Lectura secuencial (valor RMS medio): 15,5 W (PRO y MAX) Escritura secuencial (valor RMS medio): 18,3 W (PRO y MAX) |
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| Temp. de funcionamiento | 0-70 °C (NOTA: si la temperatura SMART supera los 77 °C, el rendimiento se reducirá) |
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Nota: Todos los valores proporcionados se utilizan solo como referencia y no representan valores garantizados. Para obtener información sobre la garantía, visite https://www.micron.com/support/sales-support/returns-and-warranties/enterprise-ssd-warranty o póngase en contacto con su representante de ventas de Micron. Los valores representan la resistencia teórica máxima para el tamaño y el tipo de transferencia indicados. La resistencia variará según la carga de trabajo. Valores de rendimiento medidos a 25 vatios.
- Comparisons are made based on other leading PCIe Gen4 Data Center U.2/U.3 NVMe SSDs based on data center market share as noted in the http://forward-insights.com/reportslist.html and available on the open market at the time of this document’s initial publication. 1GB = 1000 millones de bytes; la capacidad formateada es inferior.
- Performance measured using 7.68TB SSDs at queue depth (QD) = 256 con FIO (más información sobre FIO aquí: https://fio.readthedocs.io/en/latest/)..
- 30.72TB capacity is the largest option. User capacity: 1GB = 1000 millones de bytes; la capacidad formateada es inferior.
- Garantía válida durante 5 años a partir de la fecha original de compra o antes de la escritura del total de bytes escritos (TBW, por sus siglas en inglés) máximo, tal como se publica en la ficha del producto y según se evalúa en los datos SMART del producto, lo que se produzca primero.
- 77 % de mejora de eficiencia en comparación con la SSD Micron 9300. La eficiencia se define como el rendimiento por vatio.
- Información adicional disponible aquí: http://www.micron.com/176
- Rendimiento medido en las siguientes condiciones: Estado estable según la Especificación de prueba de rendimiento de almacenamiento de estado sólido de SNIA Enterprise v1.1; caché de escritura de la unidad habilitada; estado de alimentación NVMe 0; cargas de trabajo secuenciales medidas con FIO con un tamaño de 128K IO y una profundidad de cola de 32; cargas de trabajo de lectura aleatoria medidas con FIO con un tamaño de 4K IO y una profundidad de cola de 256; cargas de trabajo de escritura aleatoria medidas con FIO con un tamaño de 4K IO y una profundidad de cola de 128.
- Latency values measured with random workloads using FIO, 4KB transfers, queue depth = 1; Typical latency = mediana, percentil 50