Un nuevo estándar para las SSD NVMe convencionales
Disponible en formatos U.3, M.2 y E1.S para ofrecer compatibilidad con la mayoría de funciones de las principales plataformas.
7000
MB/s
Rendimiento secuencial
1,1 M
IOPS2
Rendimiento aleatorio
99,9999 %
Calidad del servicio (QoS)
Con latencia inferior a 1 ms1
232
NAND de capas
La tecnología NAND más avanzada del mundo2
Soluciones específicas. Resultados probados.
Informe técnico
Características de seguridad de la SSD
Gane en tranquilidad con la protección de datos en reposo.
eBook
Cuatro razones para elegir NVMe
¿Busca un motivo para implementar soluciones NVMe? Hay cuatro.
Cargas de trabajo aceleradas
Cree un ecosistema eficiente en el que los datos, además de la información, fluyan mejor.
OLTP de alto volumen
Procesamiento eficiente de transacciones a escala
Almacenamiento en la nube
Soluciones escalables para cargas de trabajo heterogéneas
Big data
Almacenamiento rápido para conjuntos de datos masivos
Almacenamiento de objetos
Alto rendimiento y capacidad de respuesta para datos no estructurados
Funcionalidades de vanguardia
La SSD Micron® 7500 NVMe™ ofrece el equilibrio perfecto entre distintas funcionalidades:
Protección contra pérdidas de alimentación
Arranque y borrado seguros
Garantía limitada de 5 años3
Protección de trayectoria de datos empresariales
Raíz de confianza para hardware y firmware de firma segura
Firmware activado sin reinicio
Compatibilidad con TRIM con recolección de basura
¿Por qué elegir la SSD 7500 NVMe?
Rendimiento mejorado
Conseguir mejores resultados y aprovechar lo último en seguridad4.
Reducir la latencia
Garantizar la capacidad de respuesta para análisis en tiempo real, distribución de contenidos y OLTP.
Acelerar cargas de trabajo
Impulsar procesos en sistemas con IA, bases de datos y Cloud Computing.
Especificaciones
Rendimiento superior para cargas de trabajo diversas y amplio soporte para Open Compute Project (OCP).
Capacidad | 960 GB | 1,92 TB | 3,84 TB | 7,68 TB | 15,36 TB |
---|---|---|---|---|---|
Lecturas secuenciales (MB/s) | 6800 | 6800 | 6800 | 7000 | 7000 |
Escrituras secuenciales (MB/s) | 1400 | 2700 | 5300 | 5900 | 5900 |
Lecturas aleatorias (KIOPS) | 800 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 |
Escrituras aleatorias (KIOPS) | 85 | 145 | 180 | 215 | 250 |
Lectura/escritura aleatoria 70/30 (IOPS) | 130 | 260 | 350 | 450 | 530 |
Latencia (típica, µs)8 | 70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
4K aleatoria | 1752 | 3504 | 7008 | 14 016 | 28 032 |
Interfaz | PCIe Gen4 1x4 NVMe (v2.4b) | ||||
NAND | NAND Micron 3D TLC más de 200 capas | ||||
MTTF | MTTF: 2,0 M de horas a 0-55 °C y 2,5 M de horas a 0-50 °C | ||||
UBER | <1 sector por 1018 bits leídos | ||||
Garantía | 5 años | ||||
Consumo | Lectura secuencial (valor RMS medio): 15,5 W (PRO y MAX) Escritura secuencial (valor RMS medio): 18,3 W (PRO y MAX) |
||||
Temp. de funcionamiento | 0-70 °C (NOTA: si la temperatura SMART supera los 77 °C, el rendimiento se reducirá) |
Capacidad | 800 GB |
1,6 TB |
3,2 TB |
6,4 TB |
12,8 TB |
---|---|---|---|---|---|
Lecturas secuenciales (MB/s) | 6800 | 6800 | 6800 | 7000 | 7000 |
Escrituras secuenciales (MB/s) | 1400 | 2700 | 5300 | 5900 | 5900 |
Lecturas aleatorias (KIOPS) | 800 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 |
Escrituras aleatorias (KIOPS) | 145 |
270 | 390 | 400 | 410 |
Lectura/escritura aleatoria 70/30 (IOPS) | 200 | 370 | 510 | 650 | 700 |
Latencia (típica, µs)8 | 70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
70 (lectura) 15 (escritura) |
4K aleatoria | 4380 |
8760 |
17 520 | 35 040 |
70 080 |
Interfaz | PCIe Gen4 1x4 NVMe (v2.4b) | ||||
NAND | NAND Micron 3D TLC más de 200 capas | ||||
MTTF | MTTF: 2,0 M de horas a 0-55 °C y 2,5 M de horas a 0-50 °C | ||||
UBER | <1 sector por 1018 bits leídos | ||||
Garantía | 5 años | ||||
Consumo | Lectura secuencial (valor RMS medio): 15,5 W (PRO y MAX) Escritura secuencial (valor RMS medio): 18,3 W (PRO y MAX) |
||||
Temp. de funcionamiento | 0-70 °C (NOTA: si la temperatura SMART supera los 77 °C, el rendimiento se reducirá) |
Encuentre la memoria y el almacenamiento adecuados
Impacto en el sector
Cómo alimentar a una IA hambrienta
Las empresas están aprovechando lagos de datos de un tamaño enorme para descubrir información nueva y potente.
Datos en el perímetro
Descubra las ventajas que conlleva procesar los datos lo más cerca posible de su origen.
Busque su equilibrio (servidor)
Armonizar procesamiento, memoria y almacenamiento permite crear un servidor con una potencia mayor que la suma de sus componentes.
Recursos
Nota: Todos los valores proporcionados se utilizan solo como referencia y no representan valores garantizados. Para obtener información sobre la garantía, visite https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties o póngase en contacto con su representante de ventas de Micron. Los valores representan la resistencia teórica máxima para el tamaño y el tipo de transferencia indicados. La resistencia variará según la carga de trabajo. Valores de rendimiento medidos a 25 vatios.