SSD Micron® 7600 NVMe™ Skip to content

SSD Micron® 7500 NVMe™ convencional

SSD MICRON® 7600 NVME™

Una unidad diseñada para la excelencia


Alto rendimiento, baja latencia y eficiencia energética para cargas de trabajo convencionales

SSD Micron® 7600 NVMe

Una de las SSD convencionales más avanzadas y de mayor rendimiento del mercado

12 GB/s

MB/s

Rendimiento secuencial1

2,1 M IOPS

IOPS1

Rendimiento aleatorio1

15,36 TB

Calidad del servicio (QoS)

Capacidad máxima2

G9

NAND de capas

NAND3

Potencie sus cargas de trabajo de IA, en la nube y en el perímetro

Regístrese para acceder de forma exclusiva

¿Busca un almacenamiento que ofrezca más músculo donde más importa? La SSD Micron 7600 NVMe puede presumir frente a las SSD convencionales Gen5 de la competencia al ofrecer:

  • 23 % más de rendimiento1
  • 76 % mejor latencia1
  • 79 % mejor eficiencia energética1

Vea más información del producto 7600

Conozca más en profundidad la innovadora tecnología que hay detrás de la SSD Micron 7600 NVMe

Cargas de trabajo aceleradas

Cree un ecosistema eficiente en el que los datos, además de la información, fluyan mejor. 

Producto
OLTP de alto volumen

Procese las transacciones más rápido y a escala

Producto
Almacenamiento en la nube

Soluciones escalables para cargas de trabajo heterogéneas

Producto
Big data

Almacenamiento rápido para conjuntos de datos masivos
 

Producto
Almacenamiento de objetos

Alto rendimiento y capacidad de respuesta para datos no estructurados

Capacidades de vanguardia

Disfrute de la combinación ideal de funciones y tecnología:

Protección contra pérdida de alimentación
 

NVMe Management Interface (NVMe-MI™) sobre SMBus

Descarga segura de firmware
 

Entorno cifrado seguro (SEE) de Micron

Protección de trayectoria de datos empresariales
 

Estados de energía de NVMe®
 

Raíz de confianza para hardware y firmware de firma segura

Tecnología de autoverificación e informes (SMART)

NVMe® 2.0b, TCG Opal v2.02, OCP 2.6

Firmware activado sin reinicio

Unidad con autocifrado (SED) con cifrado AES-256

Garantía limitada de 5 años4

¿Por qué elegir la SSD 7600 NVMe?

Mejorar el rendimiento

Conseguir mejores resultados y aprovechar lo último en seguridad.

Reducir la latencia

Garantizar la capacidad de respuesta para análisis en tiempo real, entrenamiento e inferencia de IA y OLTP.

Acelerar cargas de trabajo

Impulsar procesos en sistemas con IA, bases de datos y Cloud Computing.

Especificaciones

Rendimiento superior para cargas de trabajo diversas y amplio soporte para Open Compute Project (OCP).

Capacidad 1,92 TB 3,84 TB 7,68 TB 15,36 TB
Lecturas secuenciales (MB/s) 12 000 12 000 12 000 12 000
Escrituras secuenciales (MB/s) 3300 6500 7000 7000
Lecturas aleatorias (KIOPS) 1800 2100 2100 2100
Escrituras aleatorias (KIOPS) 180 300 400 400
Lectura/escritura aleatoria 70/30 (IOPS) 320 480 700 700
Latencia (típica, µs)8

75 (lectura),

15 (escritura)

75 (lectura),

15 (escritura)

75 (lectura),

15 (escritura)

75 (lectura),

15 (escritura)

Resistencia (aleatoria 4K) 3500 7000 14 000 28 000
Interfaz PCIe Gen5 1x4 NVMe v2.0b
NAND NAND Micron G9 TLC
MTTF MTTF: 2,0 M de horas a 0-55 °C y 2,5 M de horas a 0-50 °C
UBER <1 sector por 1018 bits leídos
Garantía 5 años
Consumo

Lectura secuencial (valor RMS medio): 15,5 W (PRO y MAX)

Escritura secuencial (valor RMS medio): 18,3 W (PRO y MAX)

Temp. de funcionamiento

0-70 °C (NOTA: si la temperatura SMART supera los 77 °C, el rendimiento se reducirá)

Capacidad 1,6 TB 3,2 TB 6,4 TB 12,8 TB
Lecturas secuenciales (MB/s) 12 000 12 000 12 000 12 000
Escrituras secuenciales (MB/s) 3300 6500 7000 7000
Lecturas aleatorias (KIOPS) 1800 2100 2100 2100
Escrituras aleatorias (KIOPS) 260 560 675 675
Lectura/escritura aleatoria 70/30 (IOPS) 450 700 1000 1100
Latencia (típica, µs)8

75 (lectura),

15 (escritura)

75 (lectura),

15 (escritura)

75 (lectura),

15 (escritura)

75 (lectura),

15 (escritura)

Resistencia (aleatoria 4K) 8700 17 500 35 000 70 000
Interfaz PCIe Gen5 1x4 NVMe v2.0b
NAND NAND Micron G9 TLC
MTTF MTTF: 2,0 M de horas a 0-55 °C y 2,5 M de horas a 0-50 °C
UBER <1 sector por 1018 bits leídos
Garantía 5 años
Consumo

Lectura secuencial (valor RMS medio): 15,5 W (PRO y MAX)

Escritura secuencial (valor RMS medio): 18,3 W (PRO y MAX)

Temp. de funcionamiento

0-70 °C (NOTA: si la temperatura SMART supera los 77 °C, el rendimiento se reducirá)

Vamos a crear juntos
 

Encuentre la memoria y el almacenamiento adecuados

Impacto en el sector

IA
Cómo alimentar a una IA hambrienta


Las empresas están aprovechando lagos de datos de un tamaño enorme para descubrir información nueva y potente.
 

Perímetro
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Descubra las ventajas que conlleva procesar los datos lo más cerca posible de su origen.
 

Producto
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Armonizar procesamiento, memoria y almacenamiento permite crear un servidor con una potencia mayor que la suma de sus componentes.

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Recursos

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Evite que las costosas GPU y CPU estén inactivas

Las soluciones de almacenamiento inteligente ofrecen una fuente de información más fluida para la IA

FOLLETO

Gama de SSD Micron
 

Adapte la SSD perfecta a su carga de trabajo específica
 

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5 razones para elegir las soluciones de servidor Micron

Mantenga las CPU y las GPU en niveles óptimos y crezca para el futuro

Nota: Todos los valores proporcionados se utilizan solo como referencia y no representan valores garantizados. Para obtener información sobre la garantía, visite https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties o póngase en contacto con su representante de ventas de Micron.

1. Rendimiento medido en las siguientes condiciones: Estado estable según la Especificación de prueba de rendimiento de almacenamiento de estado sólido de SNIA Enterprise v1.1; caché de escritura de la unidad habilitada; estado de alimentación NVMe 0; cargas de trabajo secuenciales medidas con FIO con una profundidad de cola de 32; cargas de trabajo de LECTURA aleatoria medidas con FIO con una profundidad de cola de 512; cargas de trabajo de ESCRITURA aleatoria medidas con FIO con una profundidad de cola de 128.

2. Capacidad para el usuario: 1 GB = 1000 millones de bytes; la capacidad formateada es menor

3. Visite https://www.micron.com/products/storage/nand-flash/g9-nand

4. Garantía válida durante 5 años a partir de la fecha original de compra o antes de la escritura del total de bytes escritos (TBW, por sus siglas en inglés) máximo, tal como se publica en la ficha del producto y según se evalúa en los datos SMART del producto, lo que se produzca primero.

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